一种半导体晶圆处理设备的控制方法、设备及介质

本申请公开了一种半导体晶圆处理设备的控制方法、设备及介质，涉及半导体制造技术领域。方法包括：实时监测旋转基座的轴向跳动量，同时通过光纤应变计获取夹持部件的夹持应力分布；采集旋转基座的表面温度场数据，并结合轴向跳动量和夹持应力分布，建立旋转基座与夹持部件的热力耦合模型，计算得到形变量预测值；根据形变量的预测值，对旋转基座驱动电机的目标转速计算转速补偿值，同时对夹持部件的压电致动器计算位移修正量；根据转速补偿值和位移修正量，实时控制驱动电机的转速和压电致动器的位移。本申请通过上述方法实现了通过实时监测、建立热力耦合模型、实时补偿和修正等步骤，提高了加工精度、增强了稳定性、优化了夹持力分布。