一种金属衬底晶圆的切割方法

本发明公开了一种金属衬底晶圆的切割方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：在金属衬底晶圆的背面蒸镀金属材料形成第一切割保护层；在第一切割保护层上旋涂水溶性切割保护液，干燥后形成第二切割保护层；采用第一激光光束在第二切割保护层上切割形成第一沟槽；采用第二激光光束沿第一沟槽的位置继续切割形成第二沟槽；清洗去除第二切割保护层，从而完成金属衬底晶圆的背面切割。本发明通过第一切割保护层和第二切割保护层的相互配合，并分步进行激光切割，不仅能够有效防止碎屑、熔渣等残留在芯粒边缘，还能够有效缩小热影响区的产生范围，可以显著提高金属衬底晶圆的切割良率和提高芯粒的封装良率。