一种改善反向耐压的MOSFET芯片结构及其制造方法

本发明涉及一种改善反向耐压的MOSFET芯片结构及制备方法，包括N+衬底，N‑Sub衬底和氧化层，所述N+衬底，N‑Sub衬底和氧化层依次从下到上逐层排布；所述N‑Sub衬底注入杂质形成有若干场限环；所述场限环处刻蚀有深沟槽，所述深沟槽底部延伸到所述N+衬底中；所述氧化层中淀积有单晶硅区域，本发明的优点在于在场限环处增加深沟槽结构，并且在深沟槽中填充绝缘氧化物，在深沟槽的和氧化层之间产生能带差异，使近漏极附近区域界面处形成自发耗尽，进一步提高近漏极附近区域的电场强度，从而达到在不改变面积的前提下提高整体终端的耐压的目的。