一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片

本申请提供了一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片，本申请通过在多个所述第一沟槽之间设置有阱区，所述阱区中设置有第一注入区，在部分所述阱区下方对应设置有多个第二注入区，这样可以实现更宽安全工作区的MOSFET器件，且获得适当的阈值电压数值，同时能改善SOA的过流能力，提高将近2‑3倍，并同步降低热稳定性。