一种用于半导体器件制造的热处理方法

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一种用于半导体器件制造的热处理方法
申请号:CN202510607105
申请日期:2025-05-13
公开号:CN120492930A
公开日期:2025-08-15
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域,提供了一种用于半导体器件制造的热处理方法,包括构建含第一处理模块和第二控制模块的热处理模型。首先获取历史数据,包括相邻时刻的温度信息、处理动作、效果评分、温度偏差及时间成本代价;通过第一处理模块的温度转换器、动作‑温度转换器等组件处理数据并构建第一目标函数,优化各转换器参数。第二控制模块通过动作生成网络生成动作概率分布,结合效果、温度偏差及时间成本评估网络输出值,利用优势评估函数优化网络参数。迭代训练至预设次数后,将实时温度输入训练好的动作生成网络,输出控制动作以调节热处理过程。该方法通过多模块协同优化,实现温度精准控制与成本平衡。
技术关键词
热处理方法 偏差 半导体器件 转换器 控制模块 表达式 梯度下降优化算法 优化网络参数 测量点 阶段 生成动作 数据更新 多模块 晶圆 信息处理 误差
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