基于非易失性多值存储器与晶体管集成的原地二值转换单元及其应用

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基于非易失性多值存储器与晶体管集成的原地二值转换单元及其应用
申请号:CN202510618016
申请日期:2025-05-14
公开号:CN120546698A
公开日期:2025-08-26
类型:发明专利
摘要
本发明公布了一种基于非易失性多值存储器与晶体管集成的原地二值转换单元及其应用,属于微电子器件领域。所述原地二值转换单元包括上下两个结构完全对称的部分,在每个部分中,一个非易失性多值存储器和一个定值参考电阻串联,一个分压栅控晶体管的栅极连接非易失性多值存储器与定值参考电阻之间的节点;网络中的模拟权重Wh经非易失性多值存储器转化为模拟电导GA,当GA改变时,分压栅控晶体管的沟道电导GB随之发生变化,使模拟权重Wh转换为GB表示的二值权重Wb。该原地二值转换单元可以显著降低二值神经网络训练中权重转换的计算代价和延迟,同时可降低硬件面积开销,适用于需频繁进行网络训练的边缘端设备。
技术关键词
转换单元 映射方法 浮栅晶体管存储器 存储器件 铁电随机存取存储器 铁电场效应晶体管 磁性随机存取存储器 晶体管阈值电压 二值神经网络 编程 多晶硅电阻 神经网络训练 相变存储器 微电子器件
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