高算力芯片的散热结构及其成型方法

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高算力芯片的散热结构及其成型方法
申请号:CN202510619745
申请日期:2025-05-14
公开号:CN120637343A
公开日期:2025-09-12
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种高算力芯片的散热结构,属于芯片封装技术领域,包括芯片封装结构和散热器,芯片封装结构包括导热基板、贴装在导热基板上的芯片和贴装在芯片上的重布线中介层,芯片通过重布线中介层与导热基板形成电连接,散热器贴装在重布线中介层上,包括吸热蒸发腔和设置在吸热蒸发腔上层的相变散热腔,吸热蒸发腔中装有吸热工作质,相变散热腔中装有相变储能介质。本发明有效减小芯片封装结构的厚度,提高导热效率,导热基板和散热器形成对芯片的上下同步散热,降低散热器在单位时间内的散热负荷,满足高频热量的及时散热需求,避免采用外部冷源散热,保证芯片热量及时散出,提高电子元件的运行性能。
技术关键词
芯片封装结构 导热基板 散热结构 中介层 散热器 相变储能 重布线 成型方法 蒸发腔 冷凝 芯片封装技术 低熔点金属 散热腔 密封腔室 沸点 电子元件 介质 真空度
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