半导体工艺设备的控制方法和半导体工艺设备

本申请提供了一种半导体工艺设备的控制方法和半导体工艺设备。控制方法包括步骤：输气阀向处理模块发送阀门开启信息；检测模块获取并向处理模块发送半导体腔体内等离子体产生的光信息；处理模块根据阀门开启信息获得气体流经输气阀的第一起始时间，以及根据光信息获得半导体腔体内产生等离子体的第二起始时间，并根据第一起始时间和第二起始时间获得第N轮工艺制程的延迟时间，N为大于或等于1的正整数；控制模块根据第N轮工艺制程的延迟时间获得第N+1轮工艺制程中执行模块预启用的补偿时间，并在第N+1轮工艺制程中控制执行模块按补偿时间进行操作。本申请补偿时间精度高，更有利于提升半导体工艺的稳定性和可控性，提高了产品的良率。