一种高空穴注入效率外延结构及其制备方法

本发明公开了一种高空穴注入效率外延结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。本发明的外延结构包括缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱发光层、P‑GaN复合层和P型GaN层；P‑GaN复合层包括第一阶梯复合层、第二阶梯复合层和第三阶梯复合层；第一阶梯复合层包括第一InAlN层和第一InGaN层；第二阶梯复合层包括第二Mg掺杂InAlN层、第二AlN层和第二MgN层；第三阶梯复合层包括第三InAlN层、第三AlN层和第三InGaN层。本发明能够提高外延结构空穴注入效率并促进电子和空穴复合，从而提高芯片在低工作电流密度下的发光效率。