一种基于低熔点金属和泡沫银的SIC MOSFET的双面散热弹性压接封装结构

本发明涉及电力半导体封装技术领域，具体为一种基于低熔点金属和泡沫银的SIC MOSFET的双面散热弹性压接封装结构，包括正向相对设置的漏极铜电极和源极铜电极，漏极铜电极上设置有SiC MOSFET芯片和栅极DBC基板，SiC MOSFET芯片的源极通过银柱与源极铜电极连接；栅极DBC基板上设置有栅极端子，SiC MOSFET芯片的栅极与栅极端子之间通过铝键合线相连，栅极端子的顶部与源极铜电极连接，栅极端子延伸出模块外以供外部连接；漏极铜电极和源极铜电极的背面分别设置有液冷散热器；SiC MOSFET芯片的漏极与漏极铜电极之间通过低熔点金属、泡沫银连接。本发明采用泡沫银和低熔点金属达成弹性连接，同时具有热冲击保护、抗物理震动、芯片热应力解耦等多方面优势。