重读方法、装置、存储控制芯片及存储介质

本申请提供了一种重读方法、装置、存储控制芯片及存储介质。该方法包括：采用预设重读算法对Flash执行重读操作，其中在对Flash重读时，读取各页中已配置的预设重读长度的数据，根据预设重读长度的数据与初始写入数据进行比较，根据比较结果得到最优阈值电压点。通过预设重读算法，能够得到最佳的阈值电压点，采用最佳的阈值电压点进行重读，以此来减少Flash的错误比特数。