一种低感低热阻耐高温SiC功率半导体器件封装架构

本发明属于半导体器件封装技术领域，公开了一种低感低热阻耐高温SiC功率半导体器件封装架构，包括：上基板、下基板、去耦电容、陶瓷气密框、键合线/金属箔、功率半导体芯片、垫块、高温灌封材料；本发明利用了双面冷却模块具有上下两块基板的结构特点，采用特殊设计的陶瓷气密框，在上下基板之间构建了一个小型的气密系统。这一封装架构能够在不增加双面冷却功率模块的内外散热路径长度及换流回路路径长度，不影响模块低热阻低寄生电感性能优势的前提下，为模块核心部件提供气密密封防护。