一种高温高功率密度SiC功率半导体器件制备方法

本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种高温高功率密度SiC功率半导体器件制备方法，本发明设备要求低：由于烧结时间短、烧结次数少，且均为平面烧结，因此可使用普通热压机与加热台在空气中进行烧结制备，无需使用昂贵氮气烧有压银烧结炉。工艺简单快速:只需两次烧结，两次焊接，一次键合，一次灌封即可完成包括散热底板和绝缘灌封在内的双面冷却250度高温SiC功率半导体器件的制备。面向250度高温应用的低成本方案:只在部分关键位置使用纳米银等昂贵材料，利用热扩散特性，在热流充分扩散的散热底板‑基板焊接界面使用高温焊料而非纳米银，在不显著降低散热性能的前提下避免了大面积银烧结工艺难度高、材料成本高的问题。