一种薄膜铌酸锂光波导芯片的刻蚀方法

本发明公开了一种薄膜铌酸锂光波导芯片的刻蚀方法，通过采用真空环境下的阶梯式高温坚膜的方式刻蚀薄膜铌酸锂，利用光刻胶掩膜避免了介质掩膜和金属掩膜需要的沉积和剥离步骤，仅在显影之后通过高温退火炉进行真空高温就可以完成，通过调节退火炉的功率，可以降低形成坚膜所用的时间；利用真空环境下的阶梯式高温坚膜，结合光刻胶的高温耐受性，避免了氧化反应的发生，显著提高了光刻胶掩膜的硬度和选择比；采用ICP刻蚀仪进行物理刻蚀，代替了传统的化学刻蚀，避免了副产物的沉积，实现了65°侧壁倾角；进一步地，在干法刻蚀的过程中，采用循环过程进行刻蚀，从而提高了薄膜铌酸锂光波导芯片的各向异性。