一种约瑟夫森结的制备方法、约瑟夫森结及量子芯片

本发明属于微纳加工技术领域，更具体的涉及一种约瑟夫森结的制备方法、约瑟夫森结及量子芯片。本发明的第一方面提供了一种约瑟夫森结的制备方法，包括以下步骤：制备包含约瑟夫森结图形的纳米压印掩膜版；提供平面电路，在所述平面电路涂覆至少两层光刻胶；将所述纳米压印掩膜版中约瑟夫森结图形的压印至所述至少两层光刻胶的表面；暴露所述平面电路；使所述图形化处理的区域对应形成上窄下宽的开口结构；制备得到约瑟夫森结。通过纳米分辨率的纳米压印掩膜版、纳米压印技术实现了约瑟夫森结制备，且可快速制备大量约瑟夫森结，且纳米压印掩膜版可重复利用。