垂直字线选通器及其制备方法、三维芯片及其制备方法

本申请提供了一种垂直字线选通器及其制备方法、三维芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。垂直字线选通器的第一绝缘介质层设置有贯穿的多个通孔，一个晶体管位于一个通孔内，晶体管的栅极的至少部分位于通孔内，沟道层的至少部分位于栅极与通孔的侧壁之间，以及位于栅极与衬底之间，沟道层位于栅极与通孔的侧壁之间的部分可视作晶体管的源极，位于栅极与衬底之间的部分可视作晶体管的漏极。第一导电互连层与晶体管的源极电连接，晶体管的漏极可用于与垂直字线电连接，从而控制一个晶体管的选通可实现对一个垂直字线串的选通，可避免存储芯片的多个垂直字线分别单独引出，有利于更大规模和更高密度的垂直字线串的集成。