一种优化PSRAM的fmax的布局方法

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正文
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一种优化PSRAM的fmax的布局方法
申请号:CN202510649531
申请日期:2025-05-20
公开号:CN120562366A
公开日期:2025-08-29
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种优化PSRAM的fmax的布局方法,该方法包括:将PSRAM接口的多个I/O预先布局在芯片的一侧区域的上下两端;将一部分与PSRAM上端的I/O相连接的EMB布局在芯片与I/O同侧的上半区域,将另一部分与PSRAM下端的I/O相连接的EMB块布局在芯片与I/O同侧的下半区域,以缩短EMB与I/O的连接路径;通过区域约束方法将与PSRAM关联的逻辑单元约束在芯片与I/O同侧的一侧区域中;其中,逻辑单元包括REG和其他逻辑单元;通过布局算法将与PSRAM关联的逻辑单元布局在芯片与I/O同侧的一侧区域中;其中,REG相对于其他逻辑单元优先布局在芯片与I/O同侧的一侧区域中。通过本发明提供布局方法,可以降低逻辑单元之间的延迟,提升PSRAM最大工作频率,并降低芯片的功耗。
技术关键词
布局方法 逻辑 芯片 数据总线接收器 数据多路复用器 数据总线驱动器 布局算法 约束方法 地址生成器 时钟树 缓冲器 接口 长轴 时序 功耗 信号
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