宽禁带半导体探测器及光电子器件的寿命预测方法及装置

本发明公开了一种宽禁带半导体探测器及光电子器件的寿命预测方法及装置，方法包括以下步骤：建立完整的多段式器件性能衰竭模型，并引入关键拟合系数组；在不同环境条件下，对待测器件进行多应力加速老化并计算探测器的响应度；对待测器件在不同环境条件下的性能随时间变化的数据进行数学模型拟合，确定拟合系数，得到待测器件的寿命预测模型；利用寿命预测模型预测待测器件在不同条件下的寿命。本发明建立的寿命预测模型公式和加速老化测试方法，可高效预测探测器及光电子器件的寿命，适用于不同的芯片、器件，和各种工作环境下的寿命评估；还采用加速因子模型，在短时间内预测探测器在长期使用中的衰减情况，大幅缩短寿命评估所需时间。