一种SRAM的故障测试结构

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一种SRAM的故障测试结构
申请号:CN202510660604
申请日期:2025-05-22
公开号:CN120564813A
公开日期:2025-08-29
类型:发明专利
摘要
本发明涉及集成电路测试领域,提出了一种SRAM故障测试结构,具体涉及IEEE 1687标准以及SRAM自测试结构。本发明通过分析SRAM的常见故障模型,在March C‑算法的基础上改进,推导出能覆盖绝大部分SRAM常见故障的March C‑pro算法;基于March C‑pro算法设计了模块化的SRAM自测试结构,避免了存储器内建自测试带来的设计成本以及可能出现的额外接口需求;设计了基于IEEE 1687标准的多层网络结构,实现对嵌入式仪器的访问,连接SRAM自测试模块,实现SOC内部SRAM测试。
技术关键词
存储单元 多层网络结构 代表 算法 输入接口 故障测试方法 嵌入式仪器 扫描链 内建自测试 数据生成器 控制器 测试结构 信号 模块 集成电路 指令 存储器 旁路
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