一种ZnO压敏电阻雷电冲击温升预测方法、装置、终端设备和存储介质

本发明公开了一种ZnO压敏电阻雷电冲击温升预测方法、装置、终端设备和存储介质，属于压敏电阻技术领域，所述方法为：获取雷电冲击参数和待测的ZnO压敏电阻的微观结构参数；其中，所述微观结构参数包括：晶粒尺寸、晶界层厚度和微观均匀度；所述微观均匀度用于量化晶粒尺寸大小的差异程度；将雷电冲击参数和微观结构参数输入至训练好的压敏电阻温升预测模型进行预测，输出待测的ZnO压敏电阻的表面温升最大值。本发明综合考虑晶粒尺寸、晶界层厚度和微观均匀度三类微观结构参数对雷电冲击温升影响，因此，通过实施本发明，解决了现有技术忽视了微观结构参数的微观影响导致ZnO压敏电阻温升预测不准确的问题。