一种涂胶轨迹设计方法、存储介质及电子设备

本申请提供的涂胶轨迹设计方法、存储介质及电子设备，将待涂胶区域划分为多个周期设计域，选定涂胶起始位置后，根据遗传优化算法规划每一周期设计域内的多种涂胶轨迹后，根据涂胶结果对应的覆盖率不小于目标涂胶覆盖率，模拟涂胶结果对应的涂胶厚度与目标涂胶厚度一致，且模拟涂胶结果对应的涂胶量不超过目标涂胶量的条件从多种涂胶轨迹中选择最优涂胶轨迹作为最终涂胶轨迹。上述方案，基于遗传优化算法框架，建立多周期设计域的涂胶轨迹参数化表达方法，改进了基因交叉、基因变异机制，提出了以覆盖率、涂胶厚度和涂胶量均符合目标要求的涂胶轨迹规划方法。本申请方案可得到满足覆盖率和胶量要求的涂胶轨迹，且具有高覆盖率、低胶量的优势。