一种Lift-off制程中改善金属膜图形异常的方法及芯片结构

本发明公开了一种Lift‑off制程中改善金属膜图形异常的方法及芯片结构，所述方法包括以下步骤：S1：提供一衬底，所述衬底上依次形成有氧化硅牺牲层和功能层；S2：于所述功能层表面涂敷光刻胶，并进行图形化处理；S3：采用Ar等离子体或N2等离子体轰击所述衬底表面，去除所述功能层表面上的自然氧化层；S4：在所述衬底表面蒸镀形成一层金属膜；S5：去除所述光刻胶及所述光刻胶上的金属膜；S6：释放所述氧化硅牺牲层。本发明通过等离子体轰击去除功能层表面的自然氧化层，解决了牺牲层释放时氢氟酸与自然氧化层反应造成金属膜图形变形、脱落等问题，得到的金属膜图形平整、光滑，提高了MEMS器件可靠性。