一种基于复合波导全息光栅的冷原子调控芯片装置

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一种基于复合波导全息光栅的冷原子调控芯片装置
申请号:CN202510677905
申请日期:2025-05-26
公开号:CN120199534B
公开日期:2025-07-29
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于复合波导全息光栅的冷原子调控芯片装置,该结构主要由置于二氧化硅基底上的氮化硅波导构成,所述氮化硅波导包括一组x方向波导和两组y方向波导,所述波导的交叉区域分别刻蚀有复合波导全息光栅G1和复合波导全息光栅G2;所述y方向波导的端口由复合波导全息光栅G1和复合波导全息光栅G2衍射产生两束涡旋光,用于在芯片上方相交形成囚禁冷原子的光学偶极阱;所述x方向波导通过端口Pin由复合波导全息光栅G1衍射产生高斯光,并聚焦对准光学偶极阱中心。本发明在芯片上能够实现原子捕获、原子内态激发和荧光检测功能,解决了现有光子‑原子芯片多个冷原子调控的装置集成兼容性矛盾的问题。
技术关键词
全息光栅 复合波导 芯片装置 图样 二氧化硅基底 线性相位梯度 荧光检测功能 氮化硅 模式 端口 光束 全息图 焦点 符号 方位角 波长 探测器
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