一种具有检测功能的半导体晶圆刻蚀方法

本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种具有检测功能的半导体晶圆刻蚀方法。该方法先通过光学检测装置获取晶圆表面初始图像数据，提取几何特征和缺陷分布信息；再经多尺度特征融合算法处理，识别异常区域并分类缺陷类型；接着根据缺陷情况动态调整刻蚀设备工艺参数，规划自适应刻蚀路径；刻蚀时利用实时监测模块采集数据，通过反馈控制机制修正刻蚀参数；刻蚀后借助多光谱成像技术二次检测验证刻蚀精度。该方法可精准定位缺陷、优化刻蚀工艺，有效提升刻蚀精度和质量，减少废品率，提高半导体晶圆制造的效率和可靠性。