一种浅槽隔离结构、芯片及浅槽隔离结构的制作方法

本公开提供了一种浅槽隔离结构、芯片及浅槽隔离结构的制作方法，浅槽隔离结构包括基底，基底形成有间隔设置的多个隔离沟槽，每个隔离沟槽包括连通的底部沟槽和顶部沟槽，顶部沟槽中由外至内依次设置有第一介电层和第一隔离部，第一介电层的材质包括低介电常数材料。本实施例中，在顶部沟槽设置低介电常数材料的第一介电层，由于低介电常数材料的捕获电荷能力弱，从而能够减少电荷在顶部沟槽的积累，以改善热电子诱发穿通效应；第一介电层取代相关技术中顶部沟槽中保护层的位置，即使隔离沟槽顶部材料在后续工艺中受到刻蚀，也不会导致隔离沟槽的顶面形成凹陷区域，从而为后续工艺制程提供平整的支撑面，利于提升产品的性能、可靠性和良率。