半导体器件热退火工艺优化方法、电阻预测方法及其系统

本发明公开一种半导体器件热退火工艺优化方法、电阻预测方法及其系统。本发明通过匹配偏差最小化动态修正热预算模型中的修正指数和激活率模型中的基准热预算参数，使模型能够自适应不同热退火条件。通过修正激活率与目标值的实时比对，可直接调整热退火工艺参数。最后通过融合物理模型（修正热预算模型和修正激活率模型）与数据驱动方法实现电阻预测，显著减少了传统纯物理仿真的计算复杂度与时间成本，克服了传统机器学习模型对大规模数据集的依赖，解决了传统方法在效率、成本、精度与泛化性方面的瓶颈，为先进半导体制造提供了高效、低成本、高可靠的工艺优化与性能预测方案。