一种改善高功率激光器可靠性的方法

本申请涉及激光器的技术领域，尤其是涉及一种改善高功率激光器可靠性的方法，包括以下步骤，S21、沉积一层端面刻蚀的掩膜层；S22、对掩膜层靠近出光面的端部进行刻蚀，刻蚀深度不小于掩膜层的厚度，形成刻蚀区；S23、对刻蚀区进行刻蚀，且刻蚀后底部低于有源层的底部；S24、通过刻蚀溶液进行湿法刻蚀；S25、在缓冲层的刻蚀区内进行再生长工序；采用MOCVD对接生长技术，在缓冲层的刻蚀区再生长一次光非吸收的透明材料形成钝化层；S26、去除剩余掩膜层。改变传统的高功率激光器的腔面钝化工艺，直接在芯片腔面附近再生长透明材料窗口，降低腔面处的吸收和发热，提升高功率边发射激光器的损伤阈值。