检测硅单晶COP free区域分布的方法

本发明提供了一种检测硅单晶COP free区域分布的方法，涉及硅单晶质量检测技术领域，包括：对待测硅片进行清洗得到第一硅片；在第一硅片表面均匀涂抹过渡金属离子溶液得到第二硅片；将第二硅片放入高温环境中，并在三个温度梯度下进行热处理得到第三硅片；其中在第一阶段使过渡金属离子扩散至硅片表层激活Pv区氧析出物，在第二阶段促进过渡金属离子向硅片内部扩散显影Pi低氧区域，在第三阶段高温激活B‑band区原子核聚结形成差排环；将第三硅片通过混酸溶液进行清洗得到第四硅片；对第四硅片置于择优腐蚀液中进行择优腐蚀，并将得到的检测样片进行COP free区域分布的检测。本方案能够提高各区域边界的清晰度，进而提升COP free区域分布的检测准确性。