低耦合重布线封装结构及其制备方法

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低耦合重布线封装结构及其制备方法
申请号:CN202510706664
申请日期:2025-05-29
公开号:CN120600718A
公开日期:2025-09-05
类型:发明专利
摘要
本发明提供的一种低耦合重布线封装结构及其制备方法,涉及芯片封装技术,该封装结构包括芯片、塑封体、介质层、重构线路层和锡球,芯片的正面设置有金属层;塑封体包覆在芯片的周围;介质层设置在金属层的表面,并覆盖塑封体;重构线路层设置在介质层中,并与金属层连接;锡球设置在介质层远离芯片的一侧,并与重构线路层连接;其中,金属层上蚀刻形成有避让缺口,避让缺口贯穿金属层,且重构线路层在芯片的正面的投影与避让缺口至少部分重叠。相较于现有技术,本发明通过在金属层上形成与重构线路层重叠的避让缺口,能够大幅降低重构线路层与金属层的重叠面积,减小与RDL的耦合效应,高频信号的回损结果得到较大改善。
技术关键词
重布线封装结构 重构 线路 锡球 介质 导电层 正面 芯片封装技术 蚀刻 重叠面积 错位 效应 矩形 信号
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