金属格栅及其形成方法和背照式图像传感器芯片

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金属格栅及其形成方法和背照式图像传感器芯片
申请号:CN202510708179
申请日期:2025-05-29
公开号:CN120603343A
公开日期:2025-09-05
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种金属格栅及其形成方法,旨在解决光学串扰问题。该金属格栅包括形成外层结构的介质层,以及被其至少在侧壁包覆并填充内部的金属层。其形成方法包括:在衬底上形成掩模层并在其中形成沟槽;在沟槽内壁沉积介质层;沉积金属层填充沟槽剩余空间并覆盖周边区域形成叠层结构;最后去除沟槽外部的叠层结构部分及掩模层部分,以限定金属格栅。本发明通过形成的金属格栅能有效降低光学串扰,提高成像质量和量子效率。
技术关键词
金属格栅 光刻胶图案 叠层结构 光刻掩模 介质 图像传感器芯片 原子层沉积工艺 衬底 沟槽内壁 填充沟槽 纳米 像素单元 蚀刻 上沉积
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