一种基于晶圆级集成与磁路优化的霍尔传感器制备工艺

本申请公开了一种基于晶圆级集成与磁路优化的霍尔传感器制备工艺，其属于半导体传感技术领域，包括以下步骤：磁芯预沉积、霍尔元件制备、低温键合封装、后端集成与测试；本申请创新性的首次提出磁芯原位集成与闭环磁路设计，巧妙的将磁芯与霍尔元件兼容，与传统传感器相比，灵敏度提高，输出信号幅度提升42％、闭环磁芯设计使磁场聚焦效率提升30％以上；热稳定性提高，‑40‑125℃范围内，零点漂移＜0.5mV；高度集成，传感器微型化程度高，磁芯与霍尔元件单片集成，芯片厚度≤0.5mm；低温制程兼容CMOS后端集成，支持多功能传感芯片开发，工业实用性好，适用于新能源汽车、工业电机等领域的电流检测模块，具备量产兼容性与成本优势。