一种高精度动态忆阻器模型及其应用方法

一种高精度动态忆阻器模型及其应用方法，其特征在于：基于Ta2O5忆阻器建立忆阻器模型，所述Ta2O5忆阻器包括从下至上依次贴合设置的底部电极、功能层和顶层电极；所述底部电极为铂，功能层为五氧化二钽，顶层电极包括下层的钽和上层的铂。效果：该忆阻器模型能拟合基于Ta2O5的多层器件的实验数据，在电阻状态转换中实现了2.9％的相对均方根误差。在语音分类任务中，它的训练准确率达到99.4％，测试准确率达到91.6％，证明了其神经形态计算的潜力。这项工作提高了忆阻器建模的准确性，支持智能计算和内存系统中的应用。