一种VDMOS功率芯片制备方法

本发明公开一种VDMOS功率芯片制备方法，属于功率半导体器件领域。在硅衬底的外延层上制作沟槽；在沟槽中淀积场氧介质和源多晶；在表面进行P阱普注；对沟槽中的源多晶进行光刻腐蚀并生长栅氧介质和栅多晶；对器件进行源区注入；淀积介质层全面覆盖作为隔离层，进行接触孔制作，在接触孔内进行体区注入，并完成金属接触引出；在整个表面制作正面金属、钝化层介质；在背面制作散热片和漏端金属，完成整个应用于高算力VDMOS功率芯片制作。本发明有效提高芯片的功耗效率，降低工作热耗；同时，散热片进一步增加漏端金属接触面积，降低了漏端接触电阻，消除高芯片应力，提高芯片高可靠性能，有利于芯片的小型化、低成本化和规模化。