MOSFET器件的总剂量效应可缩放模型建立方法

本发明提供的MOSFET器件的总剂量效应可缩放模型建立方法，包括：通过辐射在MOSFET器件的栅氧化层中诱导产生空穴，基于空穴被MOSFET器件的栅氧化层内部及界面处的空穴陷阱捕获的过程，得到总陷阱电荷；通过总陷阱电荷确定阈值电压漂移方程，并在阈值电压漂移方程中添加MOSFET器件尺寸信息，得到可缩放阈值电压漂移模型；获取可缩放泄漏电流模型；可缩放泄漏电流模型为基于BP神经网络预先训练的泄漏电流特性相对于MOSFET器件尺寸和辐射剂量的变化关系模型；将可缩放阈值电压漂移模型和可缩放泄漏电流模型融合，得到总剂量效应可缩放模型。这样，提高了MOSFET器件性能评估的准确性和可靠性。