摘要
本发明涉及光电子器件技术领域,尤其是基于顶面HR层和两个间隔λ/2平面金属光栅激光器,包括:增益芯片;光波导;平面金属光栅以及覆盖层。本发明通过精确控制平面金属布拉格光栅一和平面金属布拉格光栅二的相位差为λ/2,利用干涉增强和模式抑制机制,提升边模抑制比(SMSR)至63dB,压缩线宽至0.6kHz,平面金属光栅采用高反射率的Cr/Au结构,热膨胀系数低,保证了器件在宽温域下的波长稳定性,顶部覆盖层有效防止向上方衍射光能损失,优化光场分布,同时替代传统半导体二次外延波导层降低成本,无需光栅刻蚀,且光栅精度可控,平整度好。
技术关键词
平面金属光栅
布拉格光栅
激光器
覆盖层
高反射膜
光电子器件技术
抗反射膜
多层结构
反射率
边模抑制比
芯片
光波导材料
优化光场
金属反射膜
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