摘要
本发明涉及半导体激光器技术领域,尤其是一种基于两段相移λ/2顶部金属光栅的DFB激光器,包括:增益芯片;光波导;金属BRAGG反射光栅,设置在光波导的顶部,且金属BRAGG反射光栅包括金属BRAGG反射光栅一和金属BRAGG反射光栅二,金属BRAGG反射光栅一与金属BRAGG反射光栅二之间设置有相位λ/2移动拓宽。本发明采用两段光栅有效提高了SMSR比,同时顶部金属光栅取代传统夹层式半导体光栅,无需进行二次外延,简化了工艺流程,简化的工艺减少了制作过程中的步骤和对高精度设备的依赖,降低了制作成本,提高了生产效率和产品良率,这使得激光器在性能上得到显著提升。
技术关键词
反射光栅
金属光栅
反射膜
光波导
半导体激光器技术
多层结构
芯片
反射镜
量子阱结构
反射率
良率
外延
波长
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