一种用于GaN栅驱动芯片亚纳秒传输延时的电平移位电路

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一种用于GaN栅驱动芯片亚纳秒传输延时的电平移位电路
申请号:CN202510729679
申请日期:2025-06-03
公开号:CN120567156A
公开日期:2025-08-29
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于GaN栅驱动芯片的亚纳秒传输延时的电平移位电路,涉氮化镓半桥栅驱动芯片技术领域。本发明基于传统的电平移位电路,在电平移位主电路的两个脉冲控制分支节点中额外增加两个辅助电容,以及通过电容控制电路实现充放电逻辑控制,利用窄脉冲信号的时序特性,使电容在信号传输阶段主动充电以加速节点电压建立,在噪声干扰阶段快速放电以补偿共模噪声引起的压降,实现抗噪能力与信号传输效率的协同优化。保障 GaN 功率器件在高频工况下的高效稳定运行。
技术关键词
电平移位电路 电容控制电路 浮动电源 栅极 窄脉冲 电阻 低压 GaN栅驱动电路 信号 齐纳二极管 输入区 驱动芯片技术 GaN功率器件 阴极
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