摘要
本发明公开了一种片上异质集成的可调连续波激光雷达芯片,涉及光电集成器件技术领域。本发明硅衬底提供工艺兼容性,S i N波导实现低损耗传输,L i NbO3调频器件实现高线性电光调制,即满足异质材料协同设计,系统功耗降低至传统方案的1/5,有效地解决硅材料缺乏电光效应;通过S i N波导的非对称耦合和L i NbO3移相器的相位调控,无需磁光材料即可实现高隔离度光路,实现片上环形器集成,片上集成度>80%,集成度高;L i NbO3调频器件的电极设计提升调制带宽,支持FMCW所需的高频线性扫频,实现调频性能优化,调频线性度提升30%,有效地解决传统FMCW激光雷达系统体积大、成本高、调频线性度受限的问题。
技术关键词
激光雷达芯片
连续波
波导
调频
FMCW激光雷达
异质集成工艺
LPCVD工艺
光电集成器件
移相器
环形器结构
光电探测器
深紫外光刻
集成激光器
DFB激光器
氮化硅材料
磁光材料
光刻定义
调制器
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