一种用于硅光芯片的不同材料的波导交叉器件

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一种用于硅光芯片的不同材料的波导交叉器件
申请号:CN202510531456
申请日期:2025-04-25
公开号:CN120065415B
公开日期:2025-08-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于硅光芯片的不同材料的波导交叉器件,其包括相互交叉的上层波导和下层波导,下层波导依次包括第一宽度固定段、第一宽度渐变段、第二宽度固定段、第二宽度渐变段、第三宽度固定段;第一宽度渐变段和第二宽度渐变段呈线性渐变梯形结构,第一宽度渐变段的宽度从第二宽度固定段开始逐渐变小,直至其宽度与第二宽度固定段的宽度相同;第二宽度渐变段的宽度从所述第二宽度固定段开始逐渐变大,直至其宽度与所述第三宽度固定段的宽度相同。本发明的波导交叉结构设计,实现了在硅基波导的低传输损耗、低反射,以及和氮化硅波导之间的低串扰。
技术关键词
波导交叉 硅光芯片 氮化硅 低反射 线性 损耗
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