一种氮化镓基半导体激光器芯片

本发明公开了一种氮化镓基半导体激光器芯片，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述下波导层与下限制层之间具有涡旋拓扑荷调制层，所述涡旋拓扑荷调制层的厚度为0.5～500nm。本发明通过控制界面相位的方位梯度放大涡旋拓扑荷，提升拓扑荷纯度，形成光‑物质‑极化激光混合耦合界面，诱导相干声子超快光学的全角度双折射率调制，改变非线性光学并捕获光子，产生透镜效应，抑制光场色散，进而抑制衬底模式泄漏，提升远场FFP图像质量。