一种具有隧穿效应的非连续金属薄膜、隧穿电极芯片及其制备方法

本发明提供了一种具有隧穿效应的非连续金属薄膜、隧穿电极芯片及其制备方法。通过磁控溅射沉积法在玻璃基底上原位生长大面积均匀化非连续金属薄膜，构筑了具有随机纳米阵列的电荷隧穿结构。所述非连续金属薄膜包括基底和设于基底上的纳米间隙薄膜，纳米间隙薄膜包含随机性分布的若干个纳米岛和若干个纳米间隙，任意两个相邻纳米岛之间形成纳米间隙，纳米间隙<10 nm；纳米间隙薄膜的厚度<100 nm。该隧穿电极芯片通过高精度薄膜沉积实现原子级厚度控制，显著提升多批次器件的均一性，良品率较传统方法提升50%以上，突破了传统隧穿器件面临的微纳加工的昂贵成本限制，具备针对不同小分子介质的灵敏响应能力，能够将分子信息以瞬态电导信息呈现出来。