基板及其制备方法以及芯片封装结构

本申请涉及一种基板及其制备方法以及芯片封装结构，该基板包括核心层及设置在核心层的至少一侧表面的再布线层，核心层包括无机非金属材料层，无机非金属材料层的材料热膨胀系数为3ppm/℃～8ppm/℃。通过采用热膨胀系数更低的无机非金属材料来制作核心层层，不仅能降低基板的高频信号损耗，还能缩小核心层的有效热膨胀系数与硅芯片的热膨胀系数之间的差异，进而使得核心层的有效热膨胀性能更匹配硅芯片，当将硅芯片设置在基板上时，硅芯片通过再布线层与核心层连接，由于核心层与硅芯片之间具有良好的热膨胀系数匹配性，因此可以降低基板与硅芯片之间的热应力，提高可靠性，并降低基板与硅芯片之间翘曲和分层的风险。