基于激光诱导生长的超导量子芯片电路修复装置及方法

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基于激光诱导生长的超导量子芯片电路修复装置及方法
申请号:CN202510770049
申请日期:2025-06-10
公开号:CN120583880A
公开日期:2025-09-02
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种基于激光诱导生长的超导量子芯片电路修复装置及方法,属超导量子芯片修复技术领域。本发明利用激光诱导生长原理修复超导量子芯片电路,借助激光的细微聚焦性能精准激活缺陷区域,实现缺陷区域的选择性诱导并触发材料重结晶或原子层精度的外延生长,避免修复时的机械接触或化学残留,且激光诱导生长可避免局部高温带来热损伤,最终有效避免对非缺陷区域的物理与超导性能损伤;同时,修复装置中配置的拉曼光谱分析和探针测试模块,可对修复效果实时检测并可依据当前修复效果动态调整激光修复参数,实现更为灵活的修复。综上,本发明实现了对超导量子芯片高精度、低损伤下的高效修复。
技术关键词
超导量子芯片 修复装置 光电传感模块 电学性能参数 电路修复方法 探针模块 抽真空模块 光谱分析 空间光调制器 飞秒脉冲激光 真空计 伸缩机械臂 激光器 移动式 超导薄膜 样品台 控制单元 输送单元
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