一种温度校准方法

本发明提供一种温度校准方法，涉及半导体设备技术领域，该温度校准方法包括：设定n个对比工艺温度，获取参照腔体在每个对比工艺温度下的工艺结果指标，并获取待匹配腔体达到相同工艺结果指标所需的实测温度，得到n个与各对比工艺温度对应的实测温度；基于普朗克黑体辐射定律，分别计算各对比工艺温度与对应的实测温度的辐射率匹配比，并建立辐射率匹配比与实测温度之间的关系模型；对于待匹配腔体的任意实测温度，基于关系模型插值得到对应的辐射率匹配比，并利用插值得到的辐射率匹配比计算待匹配腔体的校准温度。本发明提高了各工艺腔体间工艺结果指标的一致性，降低了工艺腔体内部机械装配差异、温场‑流场耦合效应等因素对测温结果的影响。