具有气密性空腔的封装结构及其封装方法

本发明提供一种具有气密性空腔的封装结构及其封装方法，在形成第二空腔的过程中首先通过在第一半导体晶圆与第二半导体晶圆表面形成相应半导体材料的氧化物层，然后将该两层氧化物层永久键合形成氧化物键合层，可以得到非常低粗糙度的气密性空腔底面；另外，氧化物键合层作为刻蚀阻挡层，从而可以实现任意口径及深度的第一空腔的形成；再者，氧化物层是基于相应的半导体晶圆的半导体材料形成的氧化物，两者之间的晶格失配与热失配较低，不易产生龟裂、翘曲问题，且键合后的氧化物键合层的键合质量高；最后，封装后的成品尺寸小、质量轻且大大缩减了封装周期和成本，且晶圆级封装部分工艺与现有硅工艺相兼容，适于大规模生产应用。