摘要
本发明公开了一种基于氮化镓二极管自检波结构的限幅电路及芯片。该电路包括:包括:第一级限幅网络、第二级限幅网络和第三级限幅网络;其中,所述第一级限幅网络、所述第二级限幅网络和所述第三级限幅网络依次串联;所述第一级限幅网络中包含由Si基PIN管与GaN肖特基二极管反向并联组成的限幅子网络;所述第二级限幅网络和所述第三级限幅网络均包含一对反向并联的GaN肖特基二极管。该限幅芯片根据上述基于氮化镓二极管自检波结构的限幅电路设计。本发明具有体积小和高功率处理能力的优点。
技术关键词
氮化镓二极管
限幅电路
肖特基二极管
网络
微带线
隔直电容
芯片
阴极
阳极
异质
衬底
高功率
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