一种双极电路芯片制备中的介质隔离方法

一种双极电路芯片制备中的介质隔离方法，其特征在于：它包括S1、准备晶圆；S2、在晶圆硅片上形成第一氧化层;S3、制备第一槽体；S4、进步向下刻蚀第一槽体；S5、制备第二槽体；S6、制备第二氧化层；S7、在第二氧化层上淀积多晶硅层；8、对第二氧化层的上表面进行抛光，使其表面平坦化。本发明步骤简明，实施方便，优化并保障击穿电压提高的同时，漏电流和跨导不会发生大的退化，简化大线宽工艺条件下PN隔离结横向扩散的缺点。