一种QFN芯片结构及其制备方法

本发明提供了一种QFN芯片结构及其制备方法，方法包括在金属片正面电镀金属材料形成第一基岛和打线手指，在第一基岛表面贴装第一芯片，第一芯片与打线手指通过引线电性连接；对金属片正面塑封形成第一塑封部；在金属片背面半蚀刻形成至少一圈的金属柱和第二基岛，各金属柱之间断开且金属柱底部保留台阶，在台阶表面电镀形成焊线手指，第二基岛表面电镀金属层，进而贴装第二芯片，第二芯片和焊线手指电性连接；对金属片背面塑封形成第二塑封部但是金属柱顶部表面裸露，裸露的金属柱表面用于与外部线路连接。本发明公开的QFN芯片结构不仅可实现双面芯片集成,还可避免底部输出脚凹陷的问题,从而提高封装的可靠性和焊接性能。