一种用于芯片温度监测的负温度系数热敏薄膜阵列嵌入式衬底

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一种用于芯片温度监测的负温度系数热敏薄膜阵列嵌入式衬底
申请号:CN202510810319
申请日期:2025-06-17
公开号:CN120668274A
公开日期:2025-09-19
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种用于芯片温度监测的负温度系数热敏薄膜阵列嵌入式衬底,该衬底由基片,负温度系数热敏薄膜阵列和封装层组成,通过优化负温度系数薄膜阵列的在衬底处的嵌入式结构,使原本只具备单一支撑作用的衬底成为芯片原位温度监测的功能层。根据测试场景进行阵列结构设计与布放,实现片上的原位温度监测,降低了温度测量的延迟和误差,保证了芯片的性能和稳定性,解决了传统技术中传感器与芯片集成度低、温度场监测不全面等关键问题,为芯片热管理提供了创新解决方案。该方案可以用于多种芯片、晶圆温度监测领域。
技术关键词
嵌入式衬底 叉指电极 光刻胶剥离 热敏薄膜 芯片 绝缘封装材料 电子束 阵列式结构 基片 嵌入式结构 匀胶 氮化硅 氧化硅 测试场景 氧化铝 表面氧化
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