一种裸铜载体热超声键合与芯片封装方法及芯片

本发明属于半导体集成电路封装领域，公开了一种裸铜载体热超声键合与芯片封装方法及芯片，通过劈刀研磨破除裸铜载体键合区氧化层形成洁净研磨键合区，在研磨键合区直接热超声键合实现芯片/引脚互连，再点银胶包裹焊点后固化，最后完成芯片‑引脚键合。研磨物理破除氧化层根本上解决了裸铜键合氧化难题，免除了传统镀层工艺；银胶包裹既能隔绝焊点二次氧化又增强了塑封料结合界面，且固化后的二次键合确保银胶不干扰引线键合。彻底摆脱贵金属镀层和防氧化气体保护系统，大幅降低框架材料与设备改造成本；通过氧化层破除保障键合可靠性，银胶包裹则同步提升焊点抗氧化性与封装结构结合力，整体在裸铜载体上达成高可靠性封装与显著降本的双重目标。